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常州瑞华电力电子器件有限公司
三相晶闸管半桥模块(非绝缘型)(常州瑞华)
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说明:1、IF(AV)=25A~300A,VDRM=VRRM=400V~2200V,Tjm=150℃,dv/dt≥500V/μS。2、表中参数为模块每个晶匣管芯片的额定值和特性参数,但Rth(c-h)为模块值。3、表中Rth(J-C)值为每一个芯片的热阻值,对于由3个芯片组成的电桥模块,Rth(J-C)模块=1/3Rth(J-C)芯片;I2t=1/2I2TSM.T,底宽t在50Hz时为10ms;VFM是在IF(AV)πμ电流下25℃时测得。
技术参数:
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